光刻機的分類

光刻機/紫外曝光機（Mask Aligner) 又名：掩模對準曝光機，曝光系統，光刻系統等。常用的光刻機是掩膜對準光刻，所以叫 Mask Alignment System.

一般的光刻工藝要經歷硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻膠、軟烘、對準曝光、后烘、顯影、硬烘、刻蝕、等工序Photolithography（光刻）意思是用光來制作一個圖形（工藝）；在硅片表面勻膠，然后將掩模版上的圖形轉移光刻膠上的過程將器件或電路結構臨時“復制”到硅片上的過程。

光刻機一般根據操作的簡便性分為三種，手動、半自動、全自動。

A 手動：指的是對準的調節方式，是通過手調旋鈕改變它的X軸，Y軸和thita角度來完成對準，對準精度可想而知不高了；

B 半自動：指的是對準可以通過電動軸根據CCD的進行定位調諧；

C 自動：指的是從基板的上載下載，曝光時長和循環都是通過程序控制，自動光刻機主要是滿足工廠對于處理量的需要

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